關(guān)鍵是場效應(yīng)管可以工作在開關(guān)狀態(tài)，更可以工作在放大狀態(tài)。而晶閘管只能工作在開關(guān)狀態(tài)，而且一般的晶閘管不能工作在直流電路，因為不能自行關(guān)斷 （gto 是例外）。場效應(yīng)晶體管（Field EffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極性晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。場效應(yīng)管的外形與普通晶閘管一樣，但工作原理不同。普通晶體管是電流控制器件，通過控制積極電流達到控制集電極電流或發(fā)射級電流。場效應(yīng)管是電壓控制器件，其輸出電流決定于輸入信號電壓的大小，即管子的電流受控于柵極電壓。 二次擊穿：對于集電極電壓超過VCEO而引起的擊穿，只要外電路限制擊穿后的電流，管子就不會損壞，如果此時電流繼續(xù)增大，引發(fā)的不可逆的擊穿，稱為二次擊穿。
按照種類和結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管分為兩類，一類是結(jié)型場效應(yīng)管，簡稱JFET；另一類是絕緣柵型場效應(yīng)管，簡稱IGFET。目前廣泛應(yīng)用的絕緣柵型場效應(yīng)管是金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)管，簡稱MOSFET。場效應(yīng)管有三個電極：源級（S）、柵極（G）、漏極（D），且可分為P溝道型與N溝道型兩種。

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